RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
13.7
15.4
写入速度,GB/s
8.3
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2854
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link