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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
比较
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
14.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
18.3
18.1
写入速度,GB/s
14.0
14.8
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3409
3779
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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