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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
68
73
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
73
68
读取速度,GB/s
3,510.5
4,402.8
写入速度,GB/s
1,423.3
2,013.5
内存带宽,mbps
5300
6400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
701
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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