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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
68
73
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
73
68
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
4,402.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
2,013.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
6400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
701
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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