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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

総合得点
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    68 left arrow 73
    周辺 -7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,013.5 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 68
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 4,402.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 2,013.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 701

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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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