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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
68
73
周辺 -7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,013.5
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
5300
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
68
読み出し速度、GB/s
3,510.5
4,402.8
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
2,013.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
6400
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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