Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Note globale
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Note globale
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    68 left arrow 73
    Autour de -7% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,013.5 left arrow 1,423.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    6400 left arrow 5300
    Autour de 1.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    73 left arrow 68
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,510.5 left arrow 4,402.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,423.3 left arrow 2,013.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    476 left arrow 701
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons