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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.4
20.2
写入速度,GB/s
7.4
16.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3876
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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