RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
55
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
55
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2293
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link