RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
55
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
55
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2293
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link