RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Comparez
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Note globale
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,384.7
1,871.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
5300
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
52
Autour de -6% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
52
49
Vitesse de lecture, GB/s
5,635.1
4,345.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,384.7
1,871.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
5300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1037
649
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link