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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Confronto
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,384.7
1,871.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
52
Intorno -6% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
52
49
Velocità di lettura, GB/s
5,635.1
4,345.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,384.7
1,871.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
5300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1037
649
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
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