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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
56
Autour de -51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2656
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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