RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3255
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KB5 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link