RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
46
Autour de -2% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
45
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2414
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link