RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
46
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
45
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2414
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link