RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
56
Autour de -87% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2742
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link