RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
56
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2440
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link