RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
56
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2440
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link