RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
56
Autour de -14% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
49
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2534
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link