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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
56
左右 -14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
49
读取速度,GB/s
4,387.7
15.8
写入速度,GB/s
1,813.5
11.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2534
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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