Comparaison de la RAM Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Note globale

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 52

Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.7 9.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.3 7.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 14900

Autour de 1.43 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2173 3318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns