RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
52
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
3318
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link