RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Comparez
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Note globale
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
52
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14900
Autour de 1.43 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
22.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
21300
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
3837
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link