RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparez
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Note globale
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.7
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
52
Autour de -30% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
40
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
2031
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link