RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2275
3772
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link