RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Сравнить
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2275
3772
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905625-004.A03LF 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link