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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Comparez
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Note globale
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2275
2581
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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