RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2477
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link