RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
49
Autour de 47% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
49
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2673
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link