RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3324
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link