RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2824
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link