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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2853
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
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