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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3003
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
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