RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3210
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link