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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
66
Autour de 61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
66
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1604
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
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