RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3459
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link