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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
53
Autour de 51% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
53
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2871
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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