RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
26
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3088
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link