RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3659
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link