RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3356
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link