RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3911
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link