RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
37
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2863
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link