RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de 49% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
51
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2874
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9905458-026.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link