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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
48
Autour de 46% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
48
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2852
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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