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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3337
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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