RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3680
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link