RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3313
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link