RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de 42% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
45
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3027
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link