RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
20.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
4048
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link