RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3700
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link